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    Fungicide contg. di:hydro-tanshinone - isolated from Salnia miltiorrhiza Bunge.

    18820190197229S1
    发明人
    HONDA Y
    受让人
    SAWAI SEIYAKU KK (SAWA-C)
    申请人
    Emio-Yu Intellectual Property Consulting Co. Ltd.
    申请号
    174279
    申请日
    2021-03-24
    公开(公告)号
    18820190197229S1
    公开(公告)日
    2015-06-22
    IPC分类号
    A61B017/08A61L000/00A61B017/122A61B017/128A61B017/42
    CPC分类号
    -
    优先权号
    201529517849
    优先权日
    2015-02-16
    摘要

    A navigation system is used in combination with a data retrieval system to more effectively locate the correct answers or information in search content. The navigation system provides taxonomies that identify different information categories and sub-categories (facets). Classifiers automatically classify the search content by identifying the content corresponding with associated facets. The facets, in conjunction with the associated classifiers, provide robust classification and correlation between both structured and unstructured content. Rules can be used in conjunction with the facets and classifiers to automatically control different navigation operations. The navigation system can also leverage ontologies to dynamically create taxonomies and provides unique facet expansion and intra-document classification operations.

    权利要求
    1 . A method of forming a memory device, the method comprising: providing a substrate having plurality of trenches thereon, each trench having a trench depth; depositing a conformal gate oxide layer on the substrate; forming a thickness of a first metal layer on the conformal gate oxide layer, the thickness being less than or equal to about 90% of the trench depth; performing a low temperature anneal of the substrate; forming a thickness of a second metal layer on the first metal layer, the thickness of the second metal layer at least filling the trench; and recessing the second metal layer to a predetermined depth to form a recessed metal layer.
    2 . The method of claim 1 , wherein forming the first metal layer comprises depositing a conformal work-function metal layer on the conformal gate oxide layer and depositing a first metal layer on the conformal work-function metal layer.
    3 . The method of claim 1 , wherein the first and second metal layers comprise Ru or Ir.
    4 . The method of claim 1 , wherein the first metal layer fills less than or equal to about 50% of the trench depth.
    5 . The method of claim 1 , wherein the low temperature anneal is performed at a temperature of less than or equal to about 700° C. for a period of less than or equal to about 10 minutes.
    6 . The method of claim 1 , wherein after annealing the substrate, the first metal layer contains substantially no seams or voids.
    7 . The method of claim 1 , wherein the memory device contains substantially no bottom void.
    8 . A method of forming a memory device, the method comprising: providing a substrate having plurality of trenches thereon, each trench having a trench depth; depositing a conformal gate oxide layer on the substrate; forming a thickness of a metal layer on the conformal gate oxide layer, the thickness at least filling the trench; performing a low temperature anneal of the substrate; recessing the metal layer to a predetermined depth to form a recessed metal layer; depositing a high density dielectric layer on the recessed metal layer; performing a high temperature anneal of the substrate; and removing the high density dielectric layer.
    9 . The method of claim 8 , wherein forming the metal layer comprises depositing a conformal work-function metal layer on the conformal gate oxide layer and depositing a metal layer on the conformal work-function metal layer.
    10 . The method of claim 8 , wherein the metal layer comprises Ru or Ir.
    11 . The method of claim 8 , wherein the low temperature anneal is performed at a temperature of less than or equal to about 600° C. for a period of less than or equal to about 10 minutes.
    12 . The method of claim 8 , wherein after the low temperature anneal, the metal layer contains substantially no seams or voids.
    13 . The method of claim 8 , wherein the predetermined depth is in a range of about 80 nm to about 90 nm.
    14 . The method of claim 8 , wherein the high temperature anneal is performed at a temperature of greater than or equal to about 800° C. for a period of less than or equal to about 1 minute.
    15 . The method of claim 8 , wherein the memory device contains substantially no bottom void.
    16 . A method of forming a memory device, the method comprising: providing a substrate having plurality of trenches thereon, each trench having a trench depth; depositing a conformal gate oxide layer on the substrate; forming a thickness of a metal layer on the conformal gate oxide layer, the thickness being less than or equal to 90% of the trench depth; performing a low temperature anneal of the substrate; forming an additional thickness of the metal layer, the total thickness of the metal layer at least filling the trench; recessing the metal layer to a predetermined depth to form a recessed metal layer; depositing a high density dielectric layer on the recessed metal layer; performing a high temperature anneal of the substrate; and removing the high density dielectric layer.
    17 . The method of claim 16 , wherein forming the metal layer comprises depositing a conformal work-function metal layer on the conformal gate oxide layer and depositing a metal layer on the conformal work-function metal layer.
    18 . The method of claim 16 , wherein the metal layer comprises Ru or Ir.
    19 . The method of claim 16 , wherein the low temperature anneal is performed at a temperature of less than or equal to about 600° C. for a period of less than or equal to about 10 minutes, and the high temperature anneal is performed at a temperature of greater than or equal to about 800° C. for a period of less than or equal to about 1 minute.
    20 . The method of claim 16 , wherein the memory device contains substantially no bottom void.
    说明书
    [0001]技术领域
    [0002]本发明涉及一种汽车发动机蜗壳的检测装置,尤其是蜗壳的涡孔自动检测装置。
    [0003]背景技术
    [0004]汽车发动机的蜗壳上设有涡孔,涡孔为阶梯孔,每个蜗壳的涡孔都需要检测尺寸,常规的检测方法需要分开检测各个孔的直径和深度,测量繁琐、检测工作量大、检测效率低,并且检测的准确性和精度较差。
    [0005]发明内容
    [0006]为解决上述问题,本发明提供一种能够自动同时检测阶梯孔的直径和孔的深度的蜗壳的涡孔自动检测装置,具体技术方案为:
    [0007]蜗壳的涡孔自动检测装置,包括:定位座,所述定位座上设有与涡壳的涡孔相匹配的阶梯轴以及对称设置的第一检测槽,涡孔活动插在所述阶梯轴上;检测座,所述定位座固定在所述检测座的顶部;深度位移传感器,所述深度位移传感器设有若干个,且均固定在所述定位座上,用于检测各个涡孔的深度;第一浮动装置,所述第一浮动装置安装在所述检测座上;底部定位杆,所述底部定位杆安装在所述第一浮动装置上;第二浮动装置,所述第二浮动装置安装在所述检测座上,且与所述第一浮动装置相对设置;底部直径位移传感器,所述底部直径位移传感器安装在所述第二浮动装置上,且与所述底部定位杆的端部接触;及底部检测杆,所述底部检测杆对称设有两个,且分别活动插在所述第一检测槽内,两个所述底部检测杆还分别安装在所述第一浮动装置和所述第二浮动装置上。
    [0008]优选的,所述第一浮动装置包括:第一上浮动座,所述第一上浮动座上设有第一上浮动杆,所述底部定位杆安装在所述第一上浮动杆上;第一下浮动座,所述第一下浮动座上设有第一下浮动杆,所述第一上浮动座活动位于所述第一下浮动座的上方,所述第一上浮动杆与所述第一下浮动杆相对设置;及第一连接簧片,所述第一连接簧片对称设置,所述第一连接簧片的两端分别与所述第一上浮动座和所述第一下浮动座的两端连接;所述第二浮动装置包括:第二上浮动座,所述第二上浮动座上设有第二上浮动杆,所述底部直径位移传感器安装在所述第二上浮动杆上;第二下浮动座,所述第二下浮动座上设有第二下浮动杆,所述第二上浮动座活动位于所述第二下浮动座的上方,所述第二上浮动杆与所述第二下浮动杆相对设置;及第二连接簧片,所述第二连接簧片对称设置,所述第二连接簧片的两端分别与所述第二上浮动座和所述第二下浮动座的两端连接;所述底部检测杆分别安装在所述1第一上浮动座和第二上浮动座上。
    [0009]进一步的,所述第一浮动装置还包括:第一限位弹簧,所述第一限位弹簧的两端分别活动插在所述第一上浮动杆的第一上弹簧孔和所述第一下浮动杆的第一下弹簧孔内;及第一弹簧螺钉,所述第一弹簧螺钉安装在所述第一下弹簧孔上,且位于所述第一限位弹簧的一端;所述第二浮动装置还包括:第二限位弹簧,所述第二限位弹簧的两端分别活动插在所述第二上浮动杆的第二上弹簧孔和所述第二下浮动杆的第二下弹簧孔内;及第二弹簧螺钉,所述第二弹簧螺钉安装在所述第二下弹簧孔上,且位于所述第二限位弹簧的一端。
    [0010]优选的,所述第一浮动装置还包括:第一限位轴,所述第一限位轴的一端固定在所述第一上浮动杆上,另一端活动插在所述第一下浮动杆上;及第一限位销,所述第一限位销固定在所述第一限位轴上,且位于所述第一下浮动杆的两侧;
    [0011]所述第二浮动装置还包括:第二限位轴,所述第二限位轴的一端固定在所述第二上浮动杆上,另一端活动插在所述第二下浮动杆上;及第二限位销,所述第二限位销固定在所述第二限位轴上,且位于所述第二下浮动杆的两侧。
    [0012]优选的,所述第一浮动装置还包括:第一开口轴套,所述第一开口轴套安装在所述第一上浮动杆上,用于安装底部定位杆;第一固定螺钉,所述第一固定螺钉安装在所述第一上浮动杆上,且所述第一固定螺钉位于所述第一开口轴套的一侧,用于将所述底部定位杆压紧所述第一开口轴套上;所述第二浮动装置还包括:第二开口轴套,所述第二开口轴套安装在所述第二上浮动杆上,用于安装底部直径位移传感器;第二固定螺钉,所述第二固定螺钉安装在所述第二上浮动杆上,且所述第二固定螺钉位于所述第二开口轴套的一侧,用于将所述底部直径位移传感器压紧所述第二开口轴套上。
    [0013]优选的,所述第一浮动装置还包括:第一加强板,所述第一加强板固定在所述第一连接簧片的两侧;所述第二浮动装置还包括:第二加强板,所述第二加强板固定在所述第二连接簧片的两侧。
    [0014]优选的,所述底部检测杆的顶部设有检测销,所述检测销的顶部设有倒圆角。
    [0015]进一步的,还包括:顶部检测杆,所述顶部检测杆活动插在所述定位座的第二检测槽内,所述第二检测槽对称设有两个,所述顶部检测杆上装有检测球头;
    [0016]垫板,所述垫板固定在所述检测座上;及第三浮动装置,所述第三浮动装置安装在所述垫板上,所述第三浮动装置的结构与所述第一浮动装置的结构相同;顶部定位杆,所述顶部定位杆安装在所述第三浮动装置上;第四浮动装置,所述第四浮动装置安装在所述垫板上,且与所述第三浮动装置相对设置,所述第四浮动装置的结构与所述第二浮动装置的结构相同;顶部直径位移传感器,所述顶部直径位移传感器安装在所述第四浮动装置上,且与所述顶部定位杆的端部接触;及顶部检测杆,所述顶部检测杆对称设有两个,且分别活动插在所述第二检测槽内,两个所述顶部检测杆还分别安装在所述第三浮动装置和所述第四浮动装置上。
    [0017]优选的,还包括定位轴,所述定位轴固定在所述定位座或检测座上,所述定位轴上对称设有第二检测槽。
    [0018]优选的,还包括深度检测固定装置,所述深度检测固定装置包括:连接套,所述连接套的顶部设有外螺纹,底部环形阵列设有若干夹紧片;夹紧套,所述夹紧套活动插在所述夹紧片上,所述夹紧套上设有压紧槽;及夹紧螺钉,所述夹紧螺钉安装在所述夹紧套上,且穿过所述压紧槽;所述深度位移传感器安装在所述连接套上。
    [0019]与现有技术相比本发明具有以下有益效果:
    [0020]本发明提供的蜗壳的涡孔自动检测装置通过位移传感器配合浮动检测装置实现直径的检测,还通过位移传感器直接检测深度,实现一次检测所有数据,极大的提高了检测效率,并且检测的精度高、准确性好。
    [0021]附图说明
    [0022]图1是蜗壳的涡孔自动检测装置的结构示意图;
    [0023]图2是蜗壳的涡孔自动检测装置的正视图;
    [0024]图3是蜗壳的涡孔自动检测装置的俯视图;
    [0025]图4是蜗壳的涡孔自动检测装置隐藏定位座和检测座后的结构示意图;
    [0026]图5是图4的俯视图;
    [0027]图6是深度检测固定装置的爆炸结构示意图;
    [0028]图7是第一浮动装置、底部定位杆、第二浮动装置、底部直径位移传感器和底部检测杆的装配结构示意图;
    [0029]图8是图7的正视图;
    [0030]图9是第一浮动座的剖视图;
    [0031]图10是顶部检测杆、垫板、第三浮动装置、顶部定位杆、第四浮动装置、顶部直径位移传感器和顶部检测杆的装配结构示意图;
    [0032]图11是定位轴的结构示意图;
    [0033]图12是第一连接簧片的结构示意图。
    [0034]具体实施方式
    [0035]现结合附图对本发明作进一步说明。
    [0036]如图1至图12所示,蜗壳的涡孔自动检测装置,包括定位座2、检测座1、深度位移传感器3、第一浮动装置6、底部定位杆46、第二浮动装置7、底部直径位移传感器47和底部检测杆41。
    [0037]检测座1包括检测顶板11、检测底板12和连接柱13,连接柱13的两端分别与检测顶板11和检测底板12连接,且连接柱13安装在检测顶板11的四个角上。连接柱13上装有侧封板15,侧封板15使检测座1形成箱体结构,保护内部结构。定位座2固定在检测顶板11的顶部,检测顶板11上还装有定位块14,定位块14环形阵列设有四个,且位于定位座2的侧面,固定定位座2的位置,防止定位座2径向移动。
    [0038]定位座2上设有与涡壳的涡孔相匹配的阶梯轴20,包括同轴线且依次增大的第一轴21、第二轴22、第三轴23和第四轴24,第四轴24固定在检测顶板11上,涡孔活动插在阶梯轴20上。第一轴21上设有第一深度位移传感器31,第二轴22上设有第二深度位移传感器32,第三轴23上设有第三深度位移传感器33,三个深度位移传感器3用于检测涡孔的各个孔的深度,实现一次检测所有孔深,无需单独检测各个孔的深度,极大的提高了深度检测的效率,并且深度检测的准确性和精度高。具体的,深度位移传感器3通过深度检测固定装置安装在检测顶板11上,深度检测固定装置包括:连接套36、夹紧套37和夹紧螺钉38,连接套36上设有安装深度位移传感器3的通孔,连接套36的顶部设有外螺纹361,外螺纹361与检测顶板11连接,连接套36的底部环形阵列设有若干夹紧片362,夹紧片362为圆弧片,相互之间不接触;夹紧套37活动插在夹紧片362上,夹紧套37上设有压紧槽371;夹紧螺钉38安装在夹紧套37上,且穿过压紧槽371,夹紧螺钉38通过压紧槽371使环形的夹紧片362收缩,从而压紧在深度位移传感器3的外圆面上,实现深度位移传感器3的固定,同时不损伤深度位移传感器3,还方便调整深度位移传感器3的高度。
    [0039]定位座2还对称设有两个第一检测槽25,底部检测杆41分别活动插在两个第一检测槽25内,且两个底部检测杆41对称设设置。
    [0040]底部检测杆41的顶部设有检测销42,检测销42的顶部设有倒圆角。两个检测销42对称设置,且对称中心位于定位座2的圆心上,因此两个检测销42能够检测底部涡孔的直径,检测销42能够减小与底部涡孔的接触面积,使检测销42与底部涡孔为线性接触,提高检测直径的准确性和精度。
    [0041]第一浮动装置6安装在检测座1上;底部定位杆46安装在第一浮动装置6上;第二浮动装置7安装在检测座1上,且与第一浮动装置6相对设置;底部直径位移传感器47安装在第二浮动装置7上,且与底部定位杆46的端部接触;两个底部检测杆41还分别安装在第一浮动装置6和第二浮动装置7上。具体的,第一浮动装置6的结构与第二浮动装置7的结构相同,第一浮动装置6与第二浮动装置7的安装位置对称设置,也就是对称位于定位座2的轴线的两侧。
    [0042]第一浮动装置6包括:第一上浮动座61、第一下浮动座62和第一连接簧片63;第一上浮动座61上设有第一上浮动杆611,第一上浮动座61成“T”形,第一上浮动杆611上装有第一开口轴套67和第一固定螺钉,底部定位杆46插在第一开通轴套内,第一固定螺钉位于第一开口轴套67的一侧,用于将底部定位杆46压紧第一开口轴套67上;第一下浮动座62上设有第一下浮动杆621,第一下浮动座62成倒“T”形,第一上浮动座61活动位于第一下浮动座62的上方,第一上浮动杆611与第一下浮动杆621相对设置;第一连接簧片63为薄弹簧钢片制成,具有较好的弹性,也能支撑第一上浮动座61和第一下浮动座62,第一连接簧片63对称设置,第一连接簧片63的两端分别与第一上浮动座61和第一下浮动座62的两端连接。
    [0043]第二浮动装置7包括:第二上浮动座71、第二下浮动座72和第二连接簧片73;第二上浮动座71上设有第二上浮动杆711,第二上浮动座71成“T”形,第二上浮动杆711上装有第二开口轴套77和第二固定螺钉,底部直径位移传感器47插在第二开口轴套77上,第二固定螺钉位于第二开口轴套77的一侧,用于将底部直径位移传感器47压紧第二开口轴套77上;第二下浮动座72上设有第二下浮动杆721,第二下浮动座72成倒“T”形,第二上浮动座71活动位于第二下浮动座72的上方,第二上浮动杆711与第二下浮动杆721相对设置;第二连接簧片73对称设置,第二连接簧片73的两端分别与第二上浮动座71和第二下浮动座72的两端连接;底部检测杆41分别安装在第一上浮动座61和第二上浮动座71上。底部检测杆41为L形,底部检测杆41上设有腰形孔,底部检测杆41通过腰形孔与第一上浮动座61和第二上浮动座71连接,便于调整两个底部检测杆41的位置。
    [0044]由于第一连接簧片63和第二连接簧片73为薄钢片,因此承重能力较差,在第一连接簧片63和第二连接簧片73的两侧均安装加强板。第一加强板64固定在第一连接簧片63的两侧,且第一加强板64的两端与第一上浮动座61和第一下浮动座62之间留有足够的间隙,使第一上浮动座61能够往复移动;
    [0045]第二加强板74固定在第二连接簧片73的两侧,且第二加强板74的两端与第二上浮动座71和第二下浮动座72之间留有足够的间隙,使第二上浮动座71能够往复移动。
    [0046]自由状态时,两个检测销42之间的最大距离,也就是与底部涡孔接触的两个外侧面之间的最大距离大于底部涡孔的直径,检测直径时,检测销42通过底部检测杆41带动第一上浮动座61和第二上浮动座71相对移动,底部定位杆46推动底部直径位移传感器47的检测杆移动,通过计算从而得到底部涡孔的直径,检测速度快、精度高、准确性好。
    [0047]工作时,将蜗壳的涡孔插到定位座2的阶梯轴20上,三个深度位移传感器3检测各个涡孔的深度,底部涡孔插在第三轴23上,两个底部检测杆41上的检测销42插在底部涡孔的内圆面上,检测销42通过底部检测杆41带动第一上浮动座61和第二上浮动座71相对移动,底部定位杆46推动底部直径位移传感器47的检测杆移动,得到底部涡孔的直径。
    [0048]在某些实施例中,由于第一连接簧片63和第二连接簧片73为薄钢片制成,因此在自由状态时,外界有碰撞或振动时,第一上浮动座61和第二上浮动座71容易发生往复移动的情况,往复移动的第一上浮动座61和第二上浮动座71造成底部检测杆41往复移动,影响插入蜗壳,同时在调整两个检测销42之间的距离时非常不方便,调整困难,因此增加限位弹簧来消除自由状态时第一上浮动座61和第二上浮动座71容易往复移动的情况,具体的,第一浮动装置6还包括:第一限位弹簧65和第一弹簧螺钉66;
    [0049]第一限位弹簧65的两端分别活动插在第一上浮动杆611的第一上弹簧孔612和第一下浮动杆621的第一下弹簧孔622内;第一弹簧螺钉66安装在第一下弹簧孔622上,且位于第一限位弹簧65的一端;
    [0050]第二浮动装置7还包括:第二限位弹簧75和第二弹簧螺钉76,第二限位弹簧75的两端分别活动插在第二上浮动杆711的第二上弹簧孔和第二下浮动杆721的第二下弹簧孔内;第二弹簧螺钉76安装在第二下弹簧孔上,且位于第二限位弹簧75的一端。
    [0051]限位弹簧能柔性的限定第一上浮动座61和第二上浮动座71的自由移动,同时在检测直径时不影响第一上浮动座61和第二上浮动座71的移动,使在自由状态时第一上浮动座61与第二上浮动座71之间的位置相对固定,不会往复移动,同时解决了校准零位时因此晃动导致无法校准的问题。
    [0052]在某些实施例中,虽然限位弹簧能够限定位置,但是连接簧片为薄钢片,当上浮动座与下浮动座之间移动的距离过大时,会导致连接簧片产生永久变形,进而导致检测销42的位置发生偏移,影响检测,因此为了防止发生上述情况通过采用限位轴和限位销来限制移动的距离,具体的,第一浮动装置6还包括:第一限位轴68和第一限位销69;第一限位轴68的一端固定在第一上浮动杆611上,另一端活动插在第一下浮动杆621上;第一限位销69固定在第一限位轴68上,且位于第一下浮动杆621的两侧;第二浮动装置7还包括:第二限位轴78和第二限位销79;第二限位轴78的一端固定在第二上浮动杆711上,另一端活动插在第二下浮动杆721上;第二限位销79固定在第二限位轴78上,且位于第二下浮动杆721的两侧。
    [0053]第一限位销69和第二限位销79限定了第一上浮动杆611和第二上浮动杆711的移动距离,保护了第一连接簧片63和第二连接簧片73。
    [0054]在某些实施例中,还包括定位轴34、顶部检测杆43、垫板16、第三浮动装置8、顶部定位杆48、第四浮动装置9、顶部直径位移传感器49和顶部检测杆43。
    [0055]定位轴34固定在检测底板12上,且活动插在定位轴34的中心通孔上,定位轴34上对称设有两个第二检测槽35,定位轴34上还环形阵列设有四个检测通槽341,顶部定位杆48、底部定位杆46、顶部直径位移传感器49和底部直径位移传感器47均活动插在检测通槽341内。定位轴34固定在检测底板12上方便安装,定位轴34用于保护顶部检测杆43,避免装入涡孔使碰撞顶部检测杆43造成浮动装置损坏以及涡孔的损伤。
    [0056]顶部检测杆43上装有检测球头44,检测球头44减小与顶部涡孔的接触面积,保证检测的精度和准确性。
    [0057]垫板16对称安装在检测底板12上,用于增加第三浮动装置8和第四浮动装置9的高度,从而避免顶部定位杆48和顶部直径位移传感器49与底部定位杆46和底部直径位移传感器47发生干涉。
    [0058]第三浮动装置8安装在垫板16上;顶部定位杆48安装在第三浮动装置8上;第四浮动装置9安装在垫板16上,且与第三浮动装置8相对设置,顶部直径位移传感器49安装在第四浮动装置9上,且与顶部定位杆48的端部接触;顶部检测杆43对称设有两个,且分别活动插在第二检测槽35内,两个顶部检测杆43还分别安装在第三浮动装置8和第四浮动装置9上。
    [0059]第一浮动装置6、第二浮动装置7、第三浮动装置8和第四浮动装置9的结构相同,因此不重复描述第三浮动装置8和第四浮动装置9的具体结构以及检测原理。
    [0060]定位轴34、顶部检测杆43、垫板16、第三浮动装置8、顶部定位杆48、第四浮动装置9、顶部直径位移传感器49和顶部检测杆43组成顶部直径检测装置检测顶部涡孔的直径,第一浮动装置6、底部定位杆46、第二浮动装置7、底部直径位移传感器47和底部检测杆41组成底部直径检测装置检测底部涡孔的直径,还可以根据需要设置多个直径检测装置,实现同时检测多个直径的功能,极大的提高了检测的速度,并且检测的精度和准确性高,减少了人工检测的误差。
    [0061]以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理。这些描述只是为了解释本发明的原理,而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制。基于此处的解释,本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它具体实施方式,这些方式都将落入本发明权利要求的保护范围之内。
    同族专利
    暂无同族专利