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专利成果
( 1 ) 低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: 201910116788.5
( 2 ) 在InGaN表面获得In量子点的方法、InGaN量子点及外延结构, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201811274583 .1
( 3 ) 高发光效率InGaN基多量子阱外延片及其制备方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201610183107.3
( 4 ) 应力调控波导层绿光激光器外延片及其制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201610183087 .X
( 5 ) 一种绿光激光器外延片及其制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201511001357.2
( 6 ) 低电阻率P型氮化镓材料及其制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201510996216.2
( 7 ) InGaN/AlInGaN 多量子阱太阳能电池结构, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201410592387.4
( 8 ) 低电阻率低温P型铝镓氮材料的制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201410426219.8
( 9 ) 含有低温插入层的铟镓氮/ 氮化镓多量子阱太阳能电池, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201410426193.7
( 10 ) 含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的背入射太阳能电池, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201310031285 .0
研究兴趣
论文共 434 篇作者统计合作学者相似作者
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时间
引用量
主题
期刊级别
合作者
合作机构
AIP ADVANCESno. 3 (2024): 035005-035005-5
Jing Yang, Yanhui Li,Pengrui Cao,Junhui Gong, Qingxiang Zhang, Xinrui Zhang,Xianqiang Pei,Tingmei Wang,Qihua Wang,Yaoming Zhang
JOURNAL OF APPLIED POLYMER SCIENCEno. 5 (2024)
Jing Yang, Dandan Chen,Zhiyu Wang,Yuqing Wang, Jiale Li, Jie Wang,Cuifeng Zhang,Xuebin Shen,Lei Hu,Hui Wang
DYES AND PIGMENTS (2024): 111819-111819
FITOTERAPIA (2024): 105868-105868
Journal of Luminescence (2024): 120335
NANOMATERIALSno. 7 (2024): 649
SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL (2024): 134776-134776
Qingxiang Zhang,Jing Yang, Pengrui Cao,Junhui Gong, Zhangzhang Tang, Kai Zhou,Heming Luo,Xinrui Zhang,Tingmei Wang,Shoubing Chen,Xianqiang Pei, Qihua Wang,
Macromolecular rapid communicationspp.e2400277-e2400277, (2024)
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