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Admittance spectroscopy study of defects in β-Ga2O3
Jian V. Li, Jessica Hendricks, Adam Charnas,Brenton A. Noesges,Adam T. Neal, Thaddeus J. Asel, Yunjo Kim,Shin Mou
Thin Solid Films (2024): 140196
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High-Temperature Electronics Using $\beta{-}$ Ga203 FETs and AIGaN/GaN HEMTs
Ahmad E. Islam,Matt Grupen, Gary Hughes,Andreas Popp,Nicholas P. Sepelak,Kevin D. Leedy,Thaddeus Asel,Wenjuan Zhu, Adam T. Miesle,Kyle J. Liddy,Adam Neal,Brian Poling,
NAECON 2023 - IEEE National Aerospace and Electronics Conferencepp.263-268, (2023)
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Silicon-doped $\beta$-Ga$_2$O$_3$ films grown at 1 $\mu$m/h by suboxide molecular-beam epitaxy
Kathy Azizie,Felix V. E. Hensling, Cameron A. Gorsak, Yunjo Kim,Daniel M. Dryden, M. K. Indika Senevirathna,Selena Coye,Shun-Li Shang, Jacob Steele,Patrick Vogt, Nicholas A. Parker,Yorick A. Birkhölzer,
arxiv（2022）
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β-Gallium oxide power electronics
Andrew J. Green,James Speck,Grace Xing,Peter Moens,Fredrik Allerstam, Krister Gumaelius, Thomas Neyer,Andrea Arias-Purdue, Vivek Mehrotra,Akito Kuramata,Kohei Sasaki,Shinya Watanabe,
user-5ed732bc4c775e09d87b4c18（2022）
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