基本信息
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个人简介
学术成果:在国内国际发表文章63篇,其中SCI 49篇,申请和授权日本专利2项,组织和主办国际会议1次,参与编写Springer,Elsevier, Taylor & Francis专著3本。以口头或海报形式发表国际论文58篇,国内会议59篇,其中受邀在美国国际性大会上发表邀请报告4次,日本国际性大会上发表邀请报告1次,中国国内会议发表邀请报告1次。因在高纯度硅晶体材料生长机理及研究方面的显著贡献获得2015年的Ulrich Goesele Young Scientist Award (德国,每2年评1人)以及日本晶体生长学会的第八次奖励赏(日本,每年评1-2人)。高纯度硅生长技术在日本、中国、法国、德国等知名光伏企业中得到了广泛应用;发表的4篇SCI文章连续4次被ScienceDirect评为在晶体生长领域内,最受关注的顶尖25篇文章之一。数学建模方面,硅晶体生长杂质输运模型、以及硅、碳化硅、氮化铝、氮化稼晶体生长的位错模型、PVT生长碳化硅晶体的多尺度耦合模型等被美国、中国、俄罗斯、法国等知名研究组及企业所紧密追踪。
研究兴趣
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IEEE Transactions on Electron Devicesno. 3 (2023): 953-958
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