李丁博士拥有超过十年的GaN基激光器MOCVD生长经验，主要从事GaN基半导体激光器器件生长以及物理机制等方面的研究，取得了一系列原创性的成果。他外延GaN激光器结构实现电注入情况下，室温脉冲输出功率超过5 W，达到世界一流水平。在材料生长和特性表征、AlGaN超晶格限制层、InGaN量子阱有源层、p-AlGaN/GaN超晶格电学特性改善、器件结构制备工艺优化等方面进行了系统工作，作为第一作者、通讯作者和作者用英文发表SCI论文27篇，SCI Q1论文7篇。其中作为第一作者、通讯作者在国际高水平刊物《Applied Physics Letters》发表论文3篇、《Optics Express》发表论文1篇。在美国、日本、英国、中国等多个国际半导体研究国际学术会议上宣读论文。他作为发明人获得发明专利7个，已经实现了专利转移孵化，目前无形资产评估专利总价值超过1400万元。他成为德国BMBF项目、国家“973”课题、国家“863”计划课题、国家自然科学基金项目、北京市科技计划项目的主要研究人员。成为中国博士后科学基金一等资助项目负责人。这些原创性工作为李丁博士进一步开展GaN基纳米压电光电子器件的研究奠定了坚实基础。