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Gengmin Zhang(张耿民)Professor
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Bio
1969年：出生于北京市；
1991年：获理学学士学位（北京大学电子学系）；
1996年：获理学博士学位（北京大学电子学系）；
1997年：晋升为副教授（北京大学电子学系）；
2002年：晋升为教授（北京大学信息科学技术学院）；
2003年：评为博士生导师。
（工作期间曾经留学于日本大阪大学。）
研究领域
曾经从事过含有纳米粒子的半导体薄膜的光电发射的研究。目前正在研究各种一维纳米结构的制备及其物理特性。 其中的制备方法包括CVD、溶液法和电化学法等。已经研究过碳纳米管、氧化锌纳米结构和金属纳米线的制备、 电学特性和场发射特性。
承担和完成科研基金情况（仅列出作为负责人的项目）
1.“一维纳米阵列单电子器件的基础研究”（国家自然科学基金 青年基金69701001），成绩“优”。
2.“碳纳米管场发射特性和机理的研究”（国家自然科学基金 面上项目，60171025），成绩“优”。
3.“氧化锌纳米管的可控制备及其机理研究”（国家自然科学基金 面上项目，60471008）, 成绩“优”。
4.“新型碳锥-纳米管针尖的制备与场发射特性研究”, （国家自然科学基金 面上项目，60771004，2008年至2010年）。
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