基本信息
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职业迁徙
个人简介
韩根全教授回国后主要从事后摩尔新型微电子器件、芯片和Ga2O3功率器件研究。2019年创新发现不定型类铁电栅介质材料并实现非易失晶体管器件,有望颠覆德国人发现的多晶掺杂HfO2基铁电系列,推动非易失嵌入式存储器在FinFET/Nanosheet FET等先进3D晶体管中的应用。2019年通过智能剥离和转移技术(与中科院微系统所欧欣研究员合作)实现高导热衬底的Ga2O3功率器件,彻底解决Ga2O3导热问题,该成果为Compound Semiconductors网站报道,美国DARPA跟踪研究。
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Cizhe Fang,Ruoying Kanyang, Yingke Ji,Yong Zhang, Jiayong Yang, Di Wang,Yan Liu,Xuetao Gan,Genquan Han,Yue Hao
LASER & PHOTONICS REVIEWSno. 2 (2024)
IEEE Electron Device Lettersno. 1 (2024): 32-35
Science China Information Sciencesno. 1 (2024): 1-2
Applied Physics Lettersno. 11 (2024)
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICESno. 1 (2024): 107-113
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 99 (2024): 1-5
IEEE Transactions on Electron Devicespp.1-5, (2024)
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 1 (2024): 496-501
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Guan Zhao, Wang Tao,Zheng Yunzhe,Peng Yue, Wei Luqi, Zhang Yuke, Abliz mattursun, Huang Jiahao,Tong Wen-yi,Han Genquan,Chen Binbin,Xiang Ping-hua,
Chinese Physics B (2024)
MICROELECTRONICS JOURNAL (2024): 106030
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