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Improvement of GIDL-assisted Erase by using Surrounded BL PAD Structure for VNAND
Suhwan Lim,Samki Kim,Changhee Lee, Hyeongwon Choi, Nambin Kim,Jaehun Jung,Hanvit Yang,Tae-Hun Kim,Junhee Lim,Daewon Ha,Sunghoi Hur,Jaehoon Jang,
2023 IEEE International Memory Workshop (IMW)pp.1-4, (2023)
引用0浏览0EIWOS引用
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Highly-Reliable Cell Characteristics with 128-Layer Single-Stack 3D-NAND Flash Memory
Park Sejun,Jae-Duk Lee,Jae-Hoon Jang, Jong Kwang Lim,Hyun-Jung Kim, Jae Joo Shim, Min-tai Yu,Jinkyu Kang,Su-Jin Ahn,Jai-Hyuk Song
symposium on vlsi technologypp.1-2, (2021)
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超高密度NANDフラッシュメモリ用のTCAT(テラビットセルアレイトランジスタ)技術を使った垂直セルアレイ
Jang Jae-Hoon,Kim Han-Soo, Cho Wonseok, Cho Hoosung,Kim Jinho, Shim Sun Il, Jang Younggoan,Jeong Jae-Hun, Son Byoung-Keun, Kim Dong Woo,Kim Ki-Hyun, Shim Jae-Joo,
symposium on vlsi technology (2009): 157-158
引用0浏览0引用
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超高密度ＮＡＮＤフラッシュメモリ用のＴＣＡＴ（テラビットセルアレイトランジスタ）技術を使った垂直セルアレイ
ｊａｎｇ ｊａｅｈｏｏｎ,ｋｉｍ ｈａｎｓｏｏ, ｃｈｏ ｗｏｎｓｅｏｋ, ｃｈｏ ｈｏｏｓｕｎｇ,ｋｉｍ ｊｉｎｈｏ, ｓｈｉｍ ｓｕｎ ｉｌ, ｊａｎｇ ｙｏｕｎｇｇｏａｎ,ｊｅｏｎｇ ｊａｅｈｕｎ, ｓｏｎ ｂｙｏｕｎｇｋｅｕｎ, ｋｉｍ ｄｏｎｇ ｗｏｏ,ｋｉｍ ｋｉｈｙｕｎ, ｓｈｉｍ ｊａｅｊｏｏ,
mag（2009）
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