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Epitaxy of (11-22) AlN Films on a Sputtered Buffer Layer with Different Annealing Temperatures via Hydride Vapour Phase Epitaxy
Xuejun Yan,Maosong Sun, Jianli Ji, Zhuokun He,Jicai Zhang, Wenhong Sun
MATERIALSno. 2 (2024): 327
引用0浏览0WOS引用
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Semipolar (11–22) AlN Films Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy for Schottky Barrier Diodes
Jianli Ji,Ting Liu, Zhuokun He, Chunlei Fang, Xuejun Yan, Minghao Chen, Zhijie Shen,Maosong Sun,Jicai Zhang,Wenhong Sun
Crystal Growth & Design (2024)
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Morphology Evolution of a h-BN Film Grown by Halide Vapor Phase Epitaxy at Different Growth Temperatures
Ting Liu, Zhijie Shen, Minghao Chen,Qian Zhang,Maosong Sun, Chunlei Fang,Yong Lu,Hai Hu,Shuxin Tan,Jicai Zhang
CRYSTAL GROWTH & DESIGNno. 2 (2024): 810-816
引用0浏览0引用
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Influence of pressure on AlN thick films prepared by epitaxial lateral overgrowth through hydride vapor phase epitaxy
Minghao Chen, Chunlei Fang,Qian Zhang, Zhijie Shen, Jianli Ji,Shuxin Tan,Yong Lu,Ting Liu,Jicai Zhang
CRYSTENGCOMMno. 11 (2024): 1565-1570
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