基本信息
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职业迁徙
个人简介
Lauri O. Knuuttila received the Ph.D. degree in nanotechnology from the Helsinki University of Technology, Espoo, Finland, in 2006, where his master’s thesis focused on optoelectronics.
He was one of the key persons leading the GaN Epitaxy Group, OptoGaN GmbH, Landshut, Germany. Since 2013, he has been a Lead Engineer with Infineon, Villach, Austria, and is involved in GaN epitaxy development for power electronics.
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Luca Sayadi,Giuseppe Iannaccone,Oliver Haeberlen,Gianluca Fiori, Manuel Tomberger,Lauri O. Knuuttila,Gilberto Curatola
Physica status solidi A, Applications and materials scienceno. 5 (2016): 1228
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