Lin Ni-KeDepartment of Materials and Optoelectronic Science National Sun Yat-Sen University关注立即认领分享关注立即认领分享基本信息浏览量:0职业迁徙个人简介暂无内容研究兴趣论文共 2 篇作者统计合作学者相似作者按年份排序按引用量排序主题筛选期刊级别筛选合作者筛选合作机构筛选时间引用量主题期刊级别合作者合作机构Controlling the Degree of Forming Soft-Breakdown and Producing Superior Endurance Performance by Inserting BN-Based Layers in Resistive Random Access MemoryTsung-Ming Tsai,Cheng-Hsien Wu,Kuan-Chang Chang,Chih-Hung Pan,Po-Hsun Chen,Ni-Ke Lin,Jiun-Chiu Lin,Yu-Shuo Lin,Wen-Chung Chen,Huaqiang Wu,Ning Deng,He QianIEEE Electron Device Letters(2017)引用11浏览0EIWOS引用110抵抗ランダムアクセスメモリにおけるBNに基づく挿入層によるソフトブレークダウン成形とを産生する優れた持久運動能力の程度の制御【Powered by NICT】Tsai Tsung-Ming, Wu Cheng-Hsien,Chang Kuan-Chang, Pan Chih-Hung, Chen Po-Hsun,Lin Ni-Ke,Lin Jiun-Chiu, Lin Yu-Shuo,Chen Wen-Chung,Wu Huaqiang, Deng Ning, Qian HeIEEE Electron Device Lettersno. 4 (2017): 448引用0浏览0引用00作者统计合作学者合作机构D-Core合作者学生导师暂无相似学者,你可以通过学者研究领域进行搜索筛选数据免责声明页面数据均来自互联网公开来源、合作出版商和通过AI技术自动分析结果,我们不对页面数据的有效性、准确性、正确性、可靠性、完整性和及时性做出任何承诺和保证。若有疑问,可以通过电子邮件方式联系我们:report@aminer.cn