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Enhancement-Mode 300-mm GaN-on-Si(111) With Integrated Si CMOS for Future mm-Wave RF Applications
Han Wui Then, M. Radosavljevic, Q. Yu,A. Latorre-Rey, H. Vora,S. Bader, I. Momson, D. Thomson, M. Beumer, P. Koirala, J. Peck, A. Oni,
IEEE Microwave and Wireless Technology Lettersno. 6 (2023): 835-838
引用3浏览0EIWOS引用
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A Fully Integrated 3.2-4.7GHz Doherty Power Amplifier in 300mm GaN-on-Si Technology
Qiang Yu,Derek Thomson,Han Wui Then,Alvaro Latorre-Rey,Marko Radosavljevic, Michael Beumer,Pratik Koirala,Nicole Thomas,Nityan Nair,Heli Vora,Samuel Bader,Said Rami
2022 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS)pp.144-147, (2022)
引用2浏览0EIWOS引用
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Advanced Scaling of Enhancement Mode High-K Gallium Nitride-on-300mm-Si(111) Transistor and 3D Layer Transfer GaN-Silicon Finfet CMOS Integration
Han Wui Then,M. Radosavljevic,P. Koirala,N. Thomas,N. Nair,I. Ban, T. Talukdar, P. Nordeen, S. Ghosh,S. Bader, T. Hoff, T. Michaelos,
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.11.1.1-11.1.4, (2021)
引用17浏览0EIWOS引用
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