基本信息
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个人简介
刘兴昉,男,博士,副研究员,硕士生导师。
1999年毕业于中南大学材料系,获工学学士学位,2004年毕业于中南大学粉冶所,获工学硕士学位,2007年毕业于中国科学院半导体研究所,获工学博士学位。多年来一直从事碳化硅半导体的研究,工作内容包括碳化硅生长设备研制、碳化硅外延材料生长、材料表征、物理性能及相关器件研究,主持多项课题研究工作,获得北京市产品质量创新成果奖一项,在国内外学术期刊上发表研究论文40余篇,获得国家授权专利8项
1999年毕业于中南大学材料系,获工学学士学位,2004年毕业于中南大学粉冶所,获工学硕士学位,2007年毕业于中国科学院半导体研究所,获工学博士学位。多年来一直从事碳化硅半导体的研究,工作内容包括碳化硅生长设备研制、碳化硅外延材料生长、材料表征、物理性能及相关器件研究,主持多项课题研究工作,获得北京市产品质量创新成果奖一项,在国内外学术期刊上发表研究论文40余篇,获得国家授权专利8项
研究兴趣
论文共 68 篇作者统计合作学者相似作者
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时间
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合作者
合作机构
RSC advancesno. 23 (2024): 16574-16583
Micromachinesno. 5 (2024): 600
Materialsno. 11 (2024): 2612
Micromachinesno. 6 (2024)
Electronicsno. 11 (2024)
crossref(2024)
Journal of Crystal Growth (2023): 127048-127048
引用3浏览0引用
3
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JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH (2023)
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