用同步辐射X射线衍射技术分析GaN/Si外延膜的结构与应变

Physics Experimentation(2011)

引用 0|浏览8
暂无评分
摘要
选用有AlN和AlGaN缓冲层的GaN/Si作为测试样品,采用同步辐射X射线衍射(SRXRD)技术对样品外延膜(GaN)的几何结构、晶格常量及其应变进行了分析.结果表明,同步辐射X射线衍射实验可以作为一种有效的技术手段,测试固体结构及应变.
更多
查看译文
关键词
lattice constant,strain,Bragg angle,synchrotron radiation X-ray diffraction
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树,研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要