采用真空镀膜制备的叠层结构有机场效应晶体管的研究
Vacuum(2009)
摘要
本文报道了一种叠层结构有机场效应管,它有别于一般的顶接触式和底接触式结构OFET。该器件采用真空镀膜制备,以SiO2作为绝缘层,酞菁铜CuPc作为沟道层。测量出其输出特性曲线,可看见较明显的场效应特性。对器件温度特性的研究表明,漏极电流随着温度的升高而增大。XRD分析表明,在Si/SiO2和Si/SiO2/Al两种衬底上蒸镀制备的CuPc薄膜呈多晶结构,且两种衬底上的CuPc薄膜晶粒尺度大致相等。
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关键词
vacuum film deposition,organic field-effect transistor(OFET),laminated structure,CuPc
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