HgI2晶体最低生长温度的确定

Gang XU,Zhi GU,Zeng-yun JIAN,Zeng-zhe XI,Cui-xia LIU,Gai ZHANG

Journal of Synthetic Crystals（2012）

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摘要

为确定HgI2晶体的最佳生长温度,根据邻位面生长的台阶动力学,推导出HgI2分子在(001)面扩散激活能ESD约为0.33 eV,进而采用物理气相沉积法的基本理论推算了不同升华温度T1下HgI2晶体生长的最低温度Tmin.结果表明,计算结果与实际晶体生长温度基本一致.该结果为HgI2单晶体、多晶薄膜、单晶薄膜沉积工艺的优化提供了依据.

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关键词

mercuric iodide,lowest growth temperature,PVD

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