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Pauli-spin-blockade transport through a silicon double quantum dot

Physical Review B, no. 7 (2008): null-null

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WOS SCOPUS
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摘要

We present measurements of resonant tunneling through discrete energy levels of a silicon double quantum dot formed in a thin silicon-on-insulator layer. In the absence of piezoelectric phonon coupling, spontaneous phonon emission with deformation-potential coupling accounts for inelastic tunneling through the ground states of the two dot...更多

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