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基底温度对四元叠层硒化法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜的影响

真空, no. 04 (2009): 15-17

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Abstract

利用四元叠层硒化法制备了铜铟镓硒(缩写为CIGS)薄膜,重点分析了在叠层法制备CIGS薄膜过程中,基底温度对CIGS薄膜的晶体结构,表面形貌以及各种元素沿深度分布的影响。实验结果表明,在叠层法制备CIGS薄膜时,发现在550℃的基底温度时,不经过退火便可以生成CIGS晶体,表面Ga的含量处于比较合适的范围。而基底温度为500℃,450℃时,只能生成铜铟硒(CIS)晶体,Ga元素表面的含量较少,主要分布在薄膜底部。

Code:

Data:

ENEffect of substrate temperature on CIGS thin films prepared by quarternary laminating selenization proces
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