Al/AlO_x/Al超导隧道结的制备工艺研究

Fang Yurong,Cao Chunhai,Xu Qinyin,Wang Lin,Zhang Guanghan,Yao Xiaodong,Xu Weiwei,Sun Guozhu,Wu Peiheng

Cryogenics & Superconductivity（2013）

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摘要

研究了在高阻硅衬底上Al/AlO x/Al隧道结的制备技术,采用电子束蒸发制备Al/AlO x/Al三层材料,湿法刻蚀制备底电极和上电极以及电路连线,PECVD法生长绝缘层(SiO2)保护超导隧道结,RIE刻蚀上电极窗口。在400mK温度下测量了Al/AlO x/Al隧道结样品,得到了较好的隧道结I-V曲线,能隙电压Vg为0.325mV,超导临界电流I c为55nA,漏电流为5nA。

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关键词

Fabrication process,Al-etch,Superconductivity tunnel junction,Al/AlOx/Al

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