α-SiC (1010)表面结构的第一性原理计算

Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica（2002）

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摘要

用全势缀加平面波方法(FPLAPW)计算了α-SiC及其非极性(1010)表面的原子与电子结构.计算出的α-SiC晶体结构参量:晶格常量和体积弹性模量与实验值符合得很好.用平板超原胞模型来计算α-SiC(1010)表面的原子与电子结构,结果表明表面顶层原子发生键长收缩并扭转的弛豫特性,表面阳离子Si,C向体内方向发生不同程度的位移.表面重构的机理为Si,C原子由原来的sp3杂化方式退化为sp2杂化,与其三配位异种原子近似以平面构型成键.另外,表面弛豫实现表面由半金属性至半导体性的转变.

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关键词

Electronic structure,FPLAPW method,SiC

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