新型薄膜SOI高压MOSFET的研制
Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors（2003）
摘要
研制了两种薄膜SOI高压MOSFET,一种是一般结构,另一种是新的双漂移区结构.两者的栅宽均为760μm,有源区面积为8.58×10-2mm2,测试表明其击穿电压分别为17V和26V,导通电阻分别为80Ω和65Ω.
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关键词
High voltage device,MOSFET,SOI
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