用减压化学气相沉积技术制备应变硅材料

Jing Wang,Renrong Liang, Yang Xu,Zhihong Liu,Jun Xu,Peixin Qian

Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors（2006）

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摘要

利用减压化学气相沉积技术,制备出应变Si/弛豫Si0.9Ge01/渐变组分弛豫SiGe/Si衬底.通过控制组分渐变SiGe过渡层的组分梯度和适当优化弛豫SiGe层的外延生长工艺,有效地降低了表面粗糙度和位错密度.与Ge组分突变相比,采用线性渐变组分后,应变硅材料表面粗糙度从3.07nm减小到0.75nm,位错密度约为5×104 cm-2,表面应变硅层应变度约为0.45%.

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关键词

RPCVD,SiGe virtual substrate,Strained Si

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