高阻紫外光阴极导电基底制备及性能

赵菲菲 Zhao Feifei,赵宝升 Zhao Baosheng,韦永林 Wei Yonglin,张兴华 Zhang Xinghua,赛小锋 Sai Xiaofeng,邹玮 Zou Wei

Guangxue Xuebao/Acta Optica Sinica（2010）

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摘要

在MgF2基片上,采用电子束蒸发镀膜法制备了掺锡氧化铟(ITO)导电基底,研究了充氧及退火对ITO薄膜电阻及紫外透射比的影响.并与传统的金属导电基底Au和Cr进行了性能比较.用光学显微镜、四探针测试仪、高阻计、X射线衍射仪(XRD)和分光光度计分别测试了薄膜的表面形貌、方块电阻、形态结构和190～800 nm波段范围内薄膜的透射比曲线,得到方块电阻为107Ω左右时薄膜在200～400 nm波段内透射比的变化范围.实验结果表明,厚度相同时,充氧会增大ITO薄膜电阻;退火则会降低薄膜电阻并提高紫外透射比,薄膜结构由非晶态变为多晶态.方块电阻同为107Ω时,在200～400 nm波段充氧退火后ITO薄膜的平均透射比比Au,Cr的高10%.

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关键词

Conductive substrate,Image intensifier,Optical and electrical properties,Thin films optics,Vacuum deposition

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