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Electron tunneling through ultrathin boron nitride crystalline barriers.

NANO LETTERS, no. 3 (2012): 1707-1710

引用438|浏览14
WOS

摘要

We investigate the electronic properties of ultrathin hexagonal boron nitride (h-BN) crystalline layers with different conducting materials (graphite, graphene, and gold) on either side of the barrier layer. The tunnel current depends exponentially on the number of h-BN atomic layers, down to a monolayer thickness. Conductive atomic force...更多

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