MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)逸凱 周,武成 金,重哉 木村,誠佑 崔,修一 江村,繁彦 長谷川,一 朝日combinatorial pattern matching（2004）引用 23|浏览4暂无评分AI 理解论文溯源树样例生成溯源树，研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要
