招待講演 n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測 (シリコン材料・デバイス) -- (先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))亘 水林,貴洋 森,浩一 福田,貴 松川,由紀 石川,和彦 遠藤,真一 大内,順一 塚田,洋美 山内,真司 右田,行則 森田,裕之 太田,明植 昌原IEICE technical report. Speech（2015）引用 23|浏览0暂无评分关键词threshold voltage,activation energyAI 理解论文溯源树样例生成溯源树，研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要
