Nanocrystals inside : fabrication de composants mémoires MOS à base de nanocristaux de silicium

Cet article presente une formation de courte duree, en salle blanche, donnant une approche pratique complete du concept « NANO-INSIDE » applique a la realisation de memoire de type FLASH par l’integration de nanocristaux de silicium dans la technologie NMOS. Il aborde toutes les operations de fabrication des circuits integres de type « memoires », ainsi que leurs caracterisations a la fois materiaux et composants (electriques). In fine, le but est de montrer a un public etudiant comment une information peut etre memorisee avec des objets nanometriques de facon durable et conservee meme sans alimentation.