ZnO纳米棒的电沉积生长方法研究

Zhenting ZHAO,Fanqin GAO,Yongjiao SUN,Ying WANG,Jie HU

Semiconductor Optoelectronics（2014）

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摘要

用含有硝酸锌(Zn(NO3)2)和六次甲基四胺(HMTA,C6H12N4)的电解液,在低温环境下采用阴极电沉积法在ITO玻璃上成功合成了氧化锌(ZnO)纳米棒阵列.系统研究了电压、前驱物(Zn2+)浓度、温度和种子层等参数对ZnO纳米棒形貌结构的影响,实现了ZnO纳米棒的可控制备.结果表明,在有种子层的情况下,当电压为-0.9V、Zn2+浓度为0.01M、温度为75℃条件下生长的ZnO纳米棒c-轴择优取向好、尺寸均匀(80～100 nm),且在380～750 nm的可见光波长范围内的透射率达到80％.

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