Design of Traveling-Wave Concept W-band SPST Switch on GaN 100-Nm Process

본 논문에서는 상용 GaN 100-nm 공정을 이용하여 진행파 방식의 W대역 single-pole single-throw(SPST) 스위치를 설계하였다. 상용 GaN 100-nm 공정에서 제공되는 스위치 트랜지스터를 W대역에서 이용하기 위하여 직렬 커패시터를 삽입하여 고주파에서 발생하는 기생성분을 보상하는 간단한 회로 구조를 제안하였다. 측정결과 삽입손실은 75 GHz～110 GHz 대역에서 2.564 dB 이하이며, 격리도는 78.7 GHz～110 GHz 대역에서 10 dB 이상, 88.5 GHz～110 GHz 대역에서 20 dB 이상, 96.8 GHz～110 GHz 대역에서 30 dB 이상의 성능을 보인다. S11과 S22 반사계수 특성은 75 GHz～110 GHz 대역에서 -11.068 dB 이하이다.