磁控溅射制备纳米晶GZO/CdS双层膜及GZO/CdS/p-Si异质结光伏器件的研究

采用磁控溅射制备Ga掺杂ZnO (GZO) /CdS双层膜在p型晶硅衬底上以形成GZO/CdS/p-Si异质结器件.纳米晶GZO/CdS双层膜的微结构、光学及电学特性, 通过XRD、SEM、XPS、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征.GZO/CdS/p-Si异质结J-V曲线显示良好的整流特性.在±3 V时, 整流比IF/IR (IF和IR分别表示正向和反向电流) 已达到21.结果表明纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结具有好的二极管特性, 在反向偏压下获得高光电流密度.纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结显示明显的光伏特性.由于CdS晶格常数在GZO和晶Si之间, 它能作为一个介于GZO和晶Si之间的缓冲层, 能有效地减少GZO和p-Si之间的界面态.因此, 我们获得了GZO/CdS/p-Si异质结明显光伏特性.