InSb薄膜磁阻效应的厚度依赖性

Zhang Yu-Hui,Song Zhi-Yong,Chen Ping-Ping,Lin Tie,Tian Feng,Kang Ting-Ting

JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES（2017）

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摘要

在12 ～300 K的温度范围内研究了InSb薄膜(利用MBE生长)的磁阻效应随厚度的变化关系.实验发现厚的InSb薄膜只能产生半经典(oB2)磁阻效应.而减小薄膜厚度,在薄的InSb薄膜中会更容易出现弱反局域化效应,从而造成在低温下(＜35 K)出现了一个异常的随温度增加而迁移率降低的趋势.我们发现该弱反局域化效应可用HLN模型拟合,证明了它可能来源于二维(2-D)体系,比如InSb的界面态.

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关键词

InSb,magnetoresistance,weak antilocalization effect,surface/interface states

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