多晶硅纳米薄膜压阻和电学修正特性

本文制备了不同掺杂浓度的多晶硅纳米薄膜,研究了掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜压阻和电学修正特性的影响.利用低压化学气相淀积法制备了不同掺杂浓度的多晶硅纳米薄膜,掺杂浓度分别为1.0×1020 cm-3、2.0×1020 cm-3、4.1×1020 cm-3和7.1×1020 cm-3.利用应变系数测量装置对不同掺杂浓度多晶硅纳米薄膜的应变系数进行了测量;利用恒流源和万用表测量不同掺杂浓度多晶硅纳米薄膜的电学修正特性.实验结果表明:多晶硅纳米薄膜的应变系数与掺杂浓度有关,应变系数范围:33.38～38.41;利用电学方法能够修正多晶硅纳米薄膜的电阻,最大修正范围可达15.4％.多晶硅纳米薄膜具有较高的应变系数,适用于制作压阻式传感器;电学修正可用来调整多晶硅纳米薄膜的电阻,进而降低传感器的失调.