辉光放电预处理对聚酰亚胺绝缘子真空沿面闪络电压的影响

Fanhui Zeng,Junping Zhao,Jia Zhang,Qiaogen Zhang,Jie Cheng

High Power Laser and Particle Beams（2016）

引用 0|浏览3

暂无评分

摘要

为提高绝缘子的真空沿面闪络电压,采用氩气下辉光放电对绝缘子进行处理,研究了辉光放电频率、放电电流大小和处理时间对绝缘子真空闪络电压的影响.结果表明,辉光放电能极大提高绝缘子的真空闪络电压.未处理的绝缘子真空闪络电压为55 kV左右;经高频辉光放电预处理40 min后,绝缘子真空闪络电压达到100 kV;经工频辉光放电预处理40 min后,绝缘子真空闪络电压可达125 kV,高出高频下25 kV;同时,辉光放电电流(数十mA)越大,处理后的绝缘子真空闪络电压越高,但随着辉光放电电流的增大,闪络电压的增加幅度趋于饱和.

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要