InSb芯片表面抛光及腐蚀研究
Infrared Technology（2018）
摘要
表面抛光及腐蚀是InSb红外焦平面探测器芯片制备的重要工艺.本文针对腐蚀后粗糙表面、腐蚀坑和精抛后"亮点"等问题,分析了压力、转速、抛光料配比、滴料速度等工艺条件对 InSb形貌的影响.实验发现,在压力低于4.5 N、转速低于80 r/min、抛料配比为1:1、滴料速度小于1滴/s或加入氧化剂H2O2时,InSb芯片表面"亮点"得到了有效的解决.采用自行研制的AB腐蚀液对抛光后的材料进行腐蚀,消除损伤层,处理后InSb芯片表面光亮、平整.经表面处理过的芯片制备而得器件所测I-V曲线得出:暗电流大幅降低,R0A为8.16×102?·cm2,黑体探测率D*为3.1× 1010cm·Hz1/2·W-1.
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