同步辐射实验配置对晶体摇摆曲线的影响

为了精确测量加工、夹持、装调等工艺引起的晶体摇摆曲线的微小变化,建立了高分辨的在线检测系统.研究了同步辐射实验配置对晶体摇摆曲线的影响.首先利用DuMond图解法定性分析了不同实验配置中光束带宽和角发散的影响,根据DuMond图解结果和X射线晶体动力学衍射理论,推导出晶体摇摆曲线宽度的经验公式.然后研究了同步辐射在线检测系统提升角分辨率的方法,利用高指数面的Si(333)切槽晶体、Si(775)定能量分析晶体抑制光束的带宽和角发散,调制出高分辨的检测光束.最后在上海光源X光学测试线搭建了检测系统,测量了Si(111)晶体摇摆曲线并验证了经验公式.实验结果表明,Si(111)晶体摇摆曲线半高宽的测量值4.79"@12.763 keV,与动力学衍射的理论值4.70"差值在2％以内,可满足晶体摇摆曲线微小变化的检测需求.