超高真空中锗衬底上铁锗化合物纳米结构的外延生长

采用分子束外延法在250~700℃的Ge(111)衬底表面生长出铁的锗化物纳米结构,原位扫描隧道显微镜观察表明,在300℃以下,Ge(111)衬底上生长的铁锗化合物以三维岛的形式存在,高于此温度,Ge(111)衬底上将生长出短棒和纳米线形状的铁锗化合物.当温度高于550℃时,Ge(111)衬底上只有纳米线生成,且纳米线沿着<1-10>三个等价方向生长,具有三重对称性.扫描隧道谱测量表明,三维岛具有金属特性而短棒和纳米线则呈现半导体性质.此外,X射线光电子能谱测试表明,相对于三维岛,纳米线的Fe2p3/2和Fe2p1/2峰向低结合能方向发生了移动,进一步证明了从三维岛到纳米线发生了相变.