一步掩膜法制备ZnO纳米线忆阻器

Jiupeng LI,Dewei MA,Hongtao CAO,Liqiang ZHU,Jun LI,Kang LI,Lingyan LIANG,Hongliang ZHANG,Junhua GAO,Fei ZHUGE

Journal of Materials Science and Engineering（2017）

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摘要

本文基于单根ZnO纳米线(NW),采用一步掩膜的方法制备了Au/ZnO NW/Au忆阻器.器件表现出无极性忆阻行为,开关比可达105以上.低阻态具有半导体导电特性,推测忆阻行为可能来源于ZnO NW表面氧空位形成的不连续导电丝的通断.一步掩膜法工艺简单,制备过程对器件污染少,因此是制备纳米线器件的有效方法.

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