非晶CuNiSnO薄膜的生长与光电性能
Journal of Materials Science and Engineering（2019）
摘要
采用脉冲激光沉积(PLD)法制备出一种新型的p型非晶氧化物-半导体非晶CuNiSnO(CNTO).CNTO薄膜分别在室温(RT)与300℃的生长条件下获得,对其结构、光学和电学性能进行研究.研究结果表明,所得的CNTO薄膜为非晶态,表面平整,元素分布均匀.当衬底温度由RT升高至300℃时,CNTO薄膜的粗糙度由0.38nm下降至0.26nm;电阻率由高阻态转变为p型导电态,空穴浓度为4.06×1014/cm3.在300℃下生长的非晶CNTO薄膜表现为明显的p型导电,气敏测试结果进一步佐证了这一结论.此外,非晶CNTO薄膜可见光透过率达80％以上,为宽禁带非晶氧化物半导体,有望向透明显示领域发展.
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