Al-4％Ag合金中Ag原子偏析的低温正电子湮没参数研究

分别研究了823 K淬火处理和20％形变量的Al-4％Ag低温下Ag析出物对正电子的捕获行为的变化.采用正电子湮没寿命谱(PALS)技术和符合多普勒展宽能谱(CDBS)在温度范围10～293 K内对其进行表征.多普勒展宽能谱结果表明2种样品中均存在Ag析出物.正电子寿命谱的解谱结果中的各组分给出了Ag析出物随测量温度的变化规律.在170～273 K之间,正电子湮没行为具有较强的温度依赖性.但对于两个具有不同类型缺陷的样品,在低于170 K时观察到样品中Ag析出物捕获正电子能力出现了差异.随着测量温度的降低,淬火样品中的Ag析出物的正电子寿命和强度基本不变.在低于170 K的测量中,形变样品中的Ag析出物对正电子的捕获能力仍旧存在着较强的温度依赖性,但是变化幅度在逐渐减弱.当测量温度提升到室温(273～293 K),越来越多的正电子从Ag析出物中逃逸,逐渐回到自由状态或被其他深陷阱所捕获,失去了对温度的依赖性.