Сравнение политиофеновых мемристорных устройств, изготовленных послойным и центрифужным нанесением

Проведено сравнение основных характеристик мемристорных элементов на основе политиофена, изготовленных методами Ленгмюра–Шефера и центрифужного нанесения (спин-коатинга). Продемонстрирована стабильность элементов на протяжении более 500 циклов электрической перезаписи для обоих методов. Показано, что элементы, изготовленные методом спин-коатинга, обладают более медленной кинетикой переключения, что, предположительно, связано с относительно более высокой однородностью поверхности пленки. Данное исследование может быть полезно для разработки политиофеновых мемристорных элементов с воспроизводимыми стабильными характеристиками, пригодными для различных применений: от элементов памяти до носимой и имплантируемой электроники и нейроморфных вычислительных систем.