Development of GaN HEMTs on GaN Substrates for Highly Efficient RF Amplifiers

†富士通株式会社,厚木市 Fujitsu Limited, 10–1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi-shi, 243–0197 Japan ††株式会社富士通研究所,厚木市 Fujitsu Laboratories Ltd., 10–1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi-shi, 243–0197 Japan a) E-mail: kumazaki.yusuke@fujitsu.com DOI:10.14923/transelej.2021JCI0004 ここで,φはドレイン電流の流通角,Vds はドレイン 電圧,Vmin は RF 動作時の最小ドレイン電圧であり, おおよそ knee 電圧 Vk に相当する.図 1 は φ = π/2 (B 級動作)として算出した ηd と Vds の関係であり, Vmin , 0 Vである限りは Vdsが大きくなるほど ηdは高 くなる.言い換えると,Vmin が変わらない限りは動作 電圧が高くなるほど高い効率を実現できる.ワイドバ