CFETR水冷陶瓷增殖剂包层模块产氚率实验验证

水冷陶瓷增殖剂(WCCB)包层作为中国聚变工程试验堆(CFETR)候选包层之一,承担着氚增殖、核热提取、屏蔽等重要涉核功能,其中子学设计的可靠性直接影响CFETR氚自持目标的实现.为验证中子学设计工具,即MCNP和FNEDL3.0数据库,在WCCB包层中子学设计中的可靠性,基于研制出的WCCB包层模块,在DT中子环境下开展中子学实验,对以产氚率(TPR)为代表的中子学参数进行了模拟值(C)和实验值(E)对比分析.结果表明,模块中轴线位置处TPR的C/E为0.97～1.08,而模块边缘位置处TPR的C/E为0.65～0.82;模块钛酸锂层边缘区197 Au(n,γ)198 Au反应率的C/E为0.72～0.90,表明模块边缘区存在非期望的散射中子,导致该区TPR模拟值和实验值偏离较大.