面向MOCVD生长InAs/GaSb超晶格红外探测的InAs衬底表面制备

Liu Li-Jie,Zhao You-Wen,Huang Yong,Zhao Yu,Wang Jun,Wang Ying-Li,Shen Gui-Ying,Xie Hui

JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES（2022）

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摘要

采用全反射X射线荧光光谱(total reflection X-ray fluorescence,TXRF)和X射线光电子能谱(X-ray photo-electron spectroscopy,XPS)检测方法研究InAs衬底化学机械抛光后经过不同湿法化学溶液联合作用后衬底表面的金属杂质残留浓度和氧化物组分的变化.湿法化学清洗后的InAs表面检测到金属杂质Si,K和Ca,它们的浓度随溶液组合的变化而变化.金属杂质残留浓度较高的InAs衬底表面同时也测得较多粒径为80 nm的颗粒.提出了一种行之有效的InAs衬底湿化学清洗方法,可制备出金属杂质残留少、颗粒少、氧化层薄InAs衬底表面,此表面有利于MOCVD方法生长高质量InAs/GaSb超晶格红外探测器外延.

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关键词

InAs, substrate, surface cleaning, total reflection X-ray fluorescence?TXRF), X-ray photo-electron spectroscopy?XPS?

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