磷化铟晶体中孪晶形成机理的研究进展
Semiconductor Technology（2022）
摘要
孪晶可以降低化合物半导体单晶的成品率,是目前半导体材料领域研究的热点之一.针对InP及相关极易产生孪晶的半导体材料,系统介绍了孪晶形核的各类物理模型,归纳了材料属性、晶体生长放肩角度、温度梯度、生长速率、小平面、半导体极性及生长系统稳定性等因素对孪晶形成的影响.借助多晶硅中孪晶现象和形核机理解释了 InP多晶中孪晶形核现象.同时,总结了掺杂剂及杂质元素对孪晶形成的影响.最后,对InP生长过程中孪晶形成及抑制方法进行了展望.InP单晶中孪晶的抑制将会大幅降低InP单晶衬底的成本,推动InP微电子及光电子领域的发展.
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