X波段宽带数控移相器180°移相单元的设计
Journal of Lujiang University（2023）
摘要
基于0.25 μm GaAs pHEMT工艺,设计出一种应用于X波段宽带数控移相器的180°移相单元.该设计采用SPDT开关和五阶高通-低通滤波拓扑结构,通过改进SPDT开关、提升滤波器的阶数和改变180°移相单元的切换方式改善电路的插入损耗和相位平坦度,消除由前32个相位产生的相位累积误差.仿真结果表明,180°移相单元插入损耗为2.42～2.67 dB,相移范围为179°～182°,输入输出电压驻波比小于1.15,在同样的结构下,本设计可实现更优异的性能和更紧凑的芯片面积.
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