高成品率和平整度的GaN基Micro LED芯片激光剥离工艺的研究
Journal of Synthetic Crystals（2023）
摘要
使用波长248 nm的准分子激光器实现了GaN基微型发光二极管(Micro LED)的大面积激光剥离(LLO).分离器件所需要的临界激光能量密度为800～835 mJ·cm-2,分离的器件完好无损,分离表面光滑,残余应力为0.071 4 GPa,均方根粗糙度仅为0.597 nm,远低于目前报道的LLO方法分离表面.该研究为实现高质量、高效率的GaN基Micro LED芯片的制备提供了一种有前景的思路,对柔性GaN基器件的制备具有一定意义.
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