(Bi0.5Li0.5)HfO3掺杂铌酸银基反铁电陶瓷的储能特性研究

通过在AgNbO3的A位引入7％(摩尔分数)的Sr2+(Ag0.86Sr0.07NbO3),在降低了电滞ΔE的同时,将M2-M3相变调节至室温附近.在此基础上,结合轧膜成型工艺,设计了(1-x)Ag0.86Sr0.07NbO3-x(Bi0.5 Li0.5)HfO3(ASN-100xBLH,x=0.00～0.12)体系,在1050～1140℃氧气氛下保温2 h制备出致密性良好的厚膜陶瓷样品.结果表明,随着BLH掺杂浓度的增加,ASN-100xBLH陶瓷的击穿场强与储能特性均有不同程度的提升.在460 kV·cm-1电场下,ASN-11BLH的储能性能达到最优,储能密度和储能效率分别为4.6 J·cm-3和90.0％.此外,ASN-11BLH陶瓷表现出较好的温度稳定性和频率稳定性.在300 kV·cm-1电场下,25～120℃的温度范围内,储能密度和储能效率的变化率分别为9.4％和9.8％;10～500 Hz频率范围内,储能密度和储能效率的变化率分别为1.9％和1.2％.