シリコン・オン・インシュレータにおける歪シリコン層の電子構造特徴:実験及び理論データV A Terekhov,D N Nesterov,É. P. Domashevskaya, E V Geraskina, Manyakin,S I Kurganskii, G N Kamayev,A H Antonenko,Turishchev S.Yu.Applied Surface Science（2016）SCI 1区SCI 2区被引用0|浏览3上传PDF引用加入学术空间AI Read Science数据免责声明页面数据均来自互联网公开来源、合作出版商和通过AI技术自动分析结果，我们不对页面数据的有效性、准确性、正确性、可靠性、完整性和及时性做出任何承诺和保证。若有疑问，可以通过电子邮件方式联系我们：report@aminer.cnChat Paper正在生成论文摘要
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