Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
被引用0|浏览4
摘要
В роботі наведено результати схемотопологічного проектування і ком'ютерного моделювання операційного підсилювача на основі комплементарних (КМОН)-структур за стандартною промисловою планарною КМОН-технологією на кремнієвих пластинах КДБ-40 з кишенями n-типу провідності. Операційний підсилювач розроблявся для реалізації інтегрального перетворювача сигналів (ІПС) фотоплетизмографії, особливістю якого є можливість регулювання та фільтрація амплітуди постійної складової у підсиленому сигналі від діодного фоточутливого елементу в діапазоні хвиль 400 - 1040 нм. Розроблений ІПС є придатним для створення реальних пристроїв в інтегральному виконанні, як елемент сенсорних мікросистем-на-кристалі або інтелектуальних сенсорів.
原文链接
分享
引用
