Обобщенная Модель Радиационно-Индуцированного Тока Поверхностной Рекомбинации В Биполярных Транзисторах

На основе учета зарядового состояния радиационно-индуцированных поверхностных ловушек, положения эффективного уровня Ферми, определяющего сечение захвата ловушек, и данных о накоплении объемного заряда и поверхностных состояний проведен расчет тока поверхностной рекомбинации в биполярных транзисторах при накоплении полной дозы ионизирующего излучения. The calculation of the surface recombination current in bipolar transistors during the accumulation of the total dose of ionizing radiation is carried out based on consideration of the charge state of radiation-induced interface traps, the position of the effective Fermi level determining the trap capture cross-section, and data of the accumulation of the volume charge and interface states